砷化鎵(GaAs)霍爾元件信號調(diào)理芯片JHM9000
JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設計的信號調(diào)理芯片,可實現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。?
JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設計的信號調(diào)理芯片,可實現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。?
JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設計的信號調(diào)理芯片,可實現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。
JHM9000可以對砷化鎵霍爾元件的靈敏度和靜態(tài)電壓進行精確的調(diào)整,并進行最高二階的溫度補償,使其具有出色的全溫區(qū)(-40°C ~ 125°C)溫度穩(wěn)定性。芯片內(nèi)部的高帶寬通信通路設計確保了對磁場變化的快速響應,響應時間低至1.5μs。
用戶通過單線接口(OWI)對內(nèi)部的可編程存儲器(MTP)進行編程以完成對霍爾元件信號的調(diào)整,最多支持4次編程操作。單線接口與比例電壓輸出復用同一管腳,使封裝后的傳感器可使用簡單的3腳封裝完成校準。
JHM9000使用5V單電源電壓并支持高達40V的過壓保護。
關鍵特性:
模擬比例電壓輸出
工作環(huán)境溫度范圍(-40°C ~ 125°C)
用戶可編程的靈敏度和靜態(tài)電壓及其溫漂補償
提供裸片和SOP8封裝片
內(nèi)部MTP支持4次編程
僅使用單線接口完成用戶編程
接霍爾元件后對磁場響應時間達1.5μs
支持3腳封裝校準
在校準時SIO 需要3.3k 的上拉電阻用于OWI 通信協(xié)議,在校準完成后可去掉上拉電阻。SIO 引腳上的負載電容推薦為100pF, 信號帶寬為200kHz??筛鶕?jù)所需要信號帶寬調(diào)整負載電容容值。